Samsungin uusi 12-pinoinen HBM3E-siru sisältää enemmän kapasiteettia samassa koossa kuin vanhemmat mallit

Sen massatuotanto on suunniteltu vuoden 2024 ensimmäiselle puoliskolle.

Lukuajan kuvake 2 min. lukea


Lukijat auttavat tukemaan MSpoweruseria. Saatamme saada palkkion, jos ostat linkkien kautta. Työkaluvihje-kuvake

Lue ilmoitussivumme saadaksesi selville, kuinka voit auttaa MSPoweruseria ylläpitämään toimitustiimiä Lue lisää

Keskeiset huomautukset

  • Samsung esittelee maailman ensimmäisen 12-pinon HBM3E-DRAM-muistin tekoälylle, jonka kapasiteetti on 36 Gt ja kaistanleveys 1,280 XNUMX Gt/s.
  • Säilyttää vanhempien sirujen koon, varmistaa yhteensopivuuden ja välttää vääntymisongelmia.
  • Näytteitä saatavilla; massatuotanto on asetettu vuoden 2024 ensimmäiselle puoliskolle, ja tavoitteena on johtaa korkean kapasiteetin HBM-markkinoita tekoälyn aikakaudella.

Samsung on juuri ilmoittanut, että siitä on tullut maailman ensimmäinen 12-pinon HBM3E DRAM -muistin valmistaja tekoälyn tarpeisiin. Sen sanotaan olevan edistynein HBM (high bandwidth memory) tähän mennessä.

Etelä-Korean teknologiajätti sanoi tiistaina että sirussa on valtava 36 Gt:n kapasiteetti ja ennätysmäinen kaistanleveys jopa 1,280 50 gigatavua sekunnissa (GB/s), mikä merkitsee merkittävää 3 % parannusta edellisen sukupolven HBMXNUMX-siruihin verrattuna.

Samsungin uusi HBM3E 12H -muistisiru sisältää 12 kerrosta ja pysyy samankokoisina kuin vanhemmat 8-kerroksiset sirut. Näin se voi toimia olemassa olevien laitteiden kanssa ja välttää vääntymisongelmia, joita voi esiintyä korkeammissa malleissa.

Yongcheol Bae, Samsung Electronicsin muistituotesuunnittelusta vastaava varatoimitusjohtaja, sanoo, että yritys on jo alkanut tarjota näytteitä HBM3E 12H:sta asiakkaille, ja massatuotannon on määrä tapahtua vuoden 2024 ensimmäisellä puoliskolla.

"Tämä uusi muistiratkaisu on osa pyrkimystämme kehittää ydinteknologioita korkean pinon HBM:lle ja tarjota teknologinen johtajuus suuren kapasiteetin HBM-markkinoilla tekoälyn aikakaudella", hän sanoo.

Tekoälyn osalta HBM3 8H:hon verrattuna HBM3E 12H:n arvioidaan lisäävän 34 % keskimääräistä tekoälyn harjoitusnopeutta ja mahdollistavan yli 11.5-kertaisen päättelypalveluiden samanaikaisten käyttäjien määrän kasvun.

Samsung ei ole uusi pelaaja tekoälypelissä. Esimerkiksi sen uusimmissa Galaxy S24 -älypuhelimissa on tekoäly kaikkialla: Circle to Search -ominaisuus ja Galaxy AI ovat vain muutamia mainitakseni.