Samsung ja IBM julkistivat uuden sirusuunnittelun, joka mahdollistaa viikon mittaisen akunkeston älypuhelimissa
2 min. lukea
Julkaistu
Jaa tämä artikkeli
Paranna tätä ohjetta
Lue ilmoitussivumme saadaksesi selville, kuinka voit auttaa MSPoweruseria ylläpitämään toimitustiimiä Lue lisää
Samsung ja IBM ilmoittivat äskettäin uudesta pystytransistoriarkkitehtuurista puolijohdesuunnitteluun. Tällä uudella mallilla on potentiaalia tarjota kaksinkertainen suorituskyvyn parannus tai vähentää energiankulutusta 85 prosenttia verrattuna johtavien puolijohdevalmistajien nykyiseen skaalautuneeseen ripakenttätransistoriin (finFET). Tämä uusi sirurakenne mahdollistaa viikon mittaisen akunkeston älypuhelimissa.
Tähän asti transistorit on rakennettu asettumaan tasaisesti puolijohteen pinnalle. Uusilla pystysuuntaisilla siirtokenttätransistoreilla eli VTFETillä transistorit rakennetaan kohtisuoraan sirun pintaan nähden pystysuoralla tai ylös- ja alaspäin suuntautuvalla virtauksella.
VTFET-prosessi korjaa monia suorituskyvyn esteitä ja rajoituksia laajentaakseen Mooren lakia sirujen suunnittelijoiden yrittäessä pakata enemmän transistoreita kiinteään tilaan. Se vaikuttaa myös transistorien kosketuspisteisiin, mikä mahdollistaa suuremman virrankulun pienemmällä hukkaenergialla.
"Tämänpäiväinen teknologia-ilmoitus koskee käytäntöjen haastamista ja uudelleen miettimistä, kuinka jatkamme yhteiskunnan edistämistä ja uusien innovaatioiden tuomista, jotka parantavat elämää, liiketoimintaa ja vähentävät ympäristövaikutuksiamme", Dr. Mukesh Khare, johtaja, hybridipilvi ja järjestelmät, IBM Research. "Koska alan tällä hetkellä kohtaamat rajoitukset useilla rintamilla, IBM ja Samsung osoittavat sitoutumisemme yhteisiin innovaatioihin puolijohdesuunnittelussa ja yhteiseen tavoitteeseensa niin kutsuttuun "hard tech" -teknologiaan."
Lähde: IBM
