三星全新 12 堆疊 HBM3E 晶片在與舊設計相同的尺寸下提供了更多容量

三星剛剛宣布成為全球首家 12 堆疊 HBM3E DRAM 製造商，以滿足人工智慧需求。據說它是迄今為止最先進的 HBM（高頻寬記憶體）。

韓國科技巨頭 週二說 該晶片擁有 36GB 的超大容量和高達 1,280 GB/s 的破紀錄頻寬，比上一代 HBM50 晶片顯著提升 3%。

三星的新 HBM3E 12H 記憶體晶片包含 12 層，同時保持與舊型 8 層晶片相同的尺寸。這使得它能夠與現有設備配合使用，並避免較高設計可能出現的翹曲問題。

三星電子記憶體產品規劃執行副總裁 Yongcheol Bae 表示，該公司已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，計劃於 2024 年上半年實現量產。

他表示：“這種新的記憶體解決方案是我們開發高堆疊 HBM 核心技術並為人工智慧時代的高容量 HBM 市場提供技術領先地位的努力的一部分。”

至於人工智慧方面，與HBM3 8H相比，HBM3E 12H預計可將平均人工智慧訓練速度提升34%，推理服務並髮用戶數可提升11.5倍以上。

三星並不是人工智慧遊戲的新玩家。例如，其最新的 Galaxy S24 智慧型手機到處都有人工智慧：圈子搜尋功能和 Galaxy AI 僅舉幾例。