Samsung анонсирует свою первую 8 ГБ оперативной памяти DDR5 для мобильных устройств

Сегодня компания Samsung объявила о разработке первой в отрасли памяти DRAM LPDDR10 класса 8 нанометров емкостью 5 ГБ, которую можно использовать в мобильных устройствах. Эта новая оперативная память объемом 8 ГБ обеспечивает скорость передачи данных до 6,400 Мбит/с, что в 1.5 раза выше, чем у чипов оперативной памяти DDR4, используемых в современных флагманских мобильных устройствах. Благодаря повышенной производительности новая оперативная память может отправлять 51.2 гигабайта (ГБ) данных или примерно 14 видеофайлов в формате Full HD (по 3.7 ГБ каждый) за секунду. Наряду с улучшением производительности Samsung также снизила энергопотребление на 30%.

Для максимального энергосбережения LPDDR10 5-нм класса был спроектирован таким образом, чтобы снижать напряжение в соответствии с рабочей скоростью соответствующего прикладного процессора в активном режиме. Он также был настроен, чтобы избежать перезаписи ячеек со значениями «0». Кроме того, новый чип LPDDR5 будет предлагать «режим глубокого сна», который снижает энергопотребление примерно до половины «режима ожидания» текущей DRAM LPDDR4X.

«Эта разработка 8Gb LPDDR5 представляет собой важный шаг вперед для мобильных решений памяти с низким энергопотреблением», — сказал Джинман Хан, старший вице-президент по планированию продуктов памяти и разработке приложений в Samsung Electronics. «Мы продолжим расширять линейку DRAM следующего поколения 10-нм класса, поскольку мы ускоряем переход к более широкому использованию памяти премиум-класса во всем мире».

Samsung планирует начать массовое производство линеек DRAM следующего поколения, исходя из требований своих клиентов по всему миру.

Источник: Microsoft