Qualcomm mengumumkan Snapdragon 835, prosesor ponsel unggulan generasi berikutnya

Qualcomm hari ini mengumumkan Snapdragon 835, prosesor mobile andalan generasi berikutnya. Mereka berkolaborasi dengan Samsung Electronics untuk menggunakan proses FinFET 10nm-nya. Prosesor akan dibuat dari nanomaterial—molekul dan atom berukuran kurang dari 100 nanometer (nm) yang menunjukkan sifat berbeda dari rekan partikelnya yang lebih besar: beberapa karakteristik material nano yang ditingkatkan termasuk bobot yang lebih ringan, kekuatan yang lebih tinggi, dan reaktivitas kimia yang lebih besar.

Qualcomm mengatakan bahwa node 10nm ini akan membantu prosesor Snapdragon 835 mencapai efisiensi daya dan kinerja berkualitas tinggi sambil membuka wilayah untuk pengalaman seluler baru.

Proses FinFET 10nm yang baru, memungkinkan peningkatan efisiensi area hingga 30 persen dengan peningkatan kinerja 27 persen atau konsumsi daya hingga 40 persen lebih sedikit dibandingkan dengan versi sebelumnya. Peningkatan ini dapat membuat peningkatan daya tahan baterai yang signifikan. Prosesor Snapdragon 835 akan tersedia awal tahun depan.