A Qualcomm bemutatja a Snapdragon 835-öt, a következő generációs zászlóshajó mobilprocesszorát

A Qualcomm ma bejelentette a Snapdragon 835-öt, a következő generációs zászlóshajó mobilprocesszorát. Együttműködnek a Samsung Electronics-szal a 10 nm-es FinFET eljárás használatában. A processzor nanoanyagokból készül majd – 100 nanométernél (nm) kisebb molekulákból és atomokból, amelyek eltérő tulajdonságokat mutatnak, mint a nagyobb részecskéket tartalmazó társaik: néhány továbbfejlesztett nanoanyag-jellemző a könnyebb súly, a nagyobb szilárdság és a nagyobb kémiai reakcióképesség.

A Qualcomm szerint ezek a 10 nm-es csomópontok segítenek a Snapdragon 835 processzoroknak kiváló energiahatékonyság és teljesítmény elérésében, miközben teret nyitnak az új mobilélmények előtt.

Az új, 10 nm-es FinFET eljárás akár 30 százalékos területhatékonyság-növekedést tesz lehetővé, 27 százalékos teljesítménynövekedés mellett vagy akár 40 százalékkal kevesebb energiafogyasztást az előző verzióhoz képest. Ezek a fejlesztések jelentős mértékben növelhetik az akkumulátor élettartamát. A Snapdragon 835 processzorok a jövő év elején lesznek elérhetők.