Samsung und IBM enthüllen ein neues Chip-Design, das wochenlange Akkulaufzeiten auf Smartphones ermöglicht

Samsung und IBM haben kürzlich eine neue vertikale Transistorarchitektur für das Halbleiterdesign angekündigt. Dieses neue Design hat das Potenzial, die Leistung zu verdoppeln oder den Energieverbrauch um 85 Prozent zu senken, verglichen mit dem aktuell skalierten Finnen-Feldeffekttransistor (finFET), der von führenden Halbleiterherstellern verwendet wird. Dieses neue Chipdesign wird eine einwöchige Akkulaufzeit auf Smartphones ermöglichen.

Bisher wurden Transistoren so gebaut, dass sie flach auf der Oberfläche eines Halbleiters aufliegen. Bei den neuen vertikalen Transport-Feldeffekttransistoren oder VTFET werden Transistoren senkrecht zur Oberfläche des Chips mit einem vertikalen oder nach oben und unten gerichteten Stromfluss aufgebaut.

Der VTFET-Prozess adressiert viele Leistungsbarrieren und Einschränkungen, um das Moore'sche Gesetz zu erweitern, während Chipdesigner versuchen, mehr Transistoren in einen festen Raum zu packen. Es beeinflusst auch die Kontaktpunkte für die Transistoren, was einen größeren Stromfluss mit weniger verschwendeter Energie ermöglicht.

„Bei der heutigen Technologieankündigung geht es darum, Konventionen in Frage zu stellen und zu überdenken, wie wir die Gesellschaft weiter voranbringen und neue Innovationen liefern, die das Leben und das Geschäft verbessern und unsere Umweltbelastung verringern“, sagte Dr. Mukesh Khare, Vizepräsident, Hybrid Cloud und Systeme, IBM Research. „Angesichts der Einschränkungen, mit denen die Branche derzeit an mehreren Fronten konfrontiert ist, demonstrieren IBM und Samsung unser Engagement für gemeinsame Innovationen im Halbleiterdesign und ein gemeinsames Streben nach dem, was wir ‚Hard Tech‘ nennen.“

Quelle: IBM